Pracownia mikroelektroniki 0800-PMIKRO
Laboratorium (LAB) Semestr letni 2020/21

1. C.Kittel - „Wstęp do fizyki ciala stałego”

2. J.Pankove - „Zjawiska optyczne w półprzewodnikach”

3. G. I. Jepifanow - „Fizyczne podstawy mikroelektroniki”

4. T. Figielski - „Zjawiska nierównowagowe w półprzewodnikach”

5. J. Hennel - „Podstawy elektroniki półprzewodnikowej”

6. A. Kawski, A. Kubacki - „Aparatura i metody badań luminescencji”

7. W. Marciniak „Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone” Warszawa WNT 1984r.

8. K. W. Szalimowa „Fizyka półprzewodników” Warszawa PWN 1974r.

9. P. S. Kiriejew „Fizyka półprzewodników” Warszawa PWN 1976r.

10. N. F. Kowtoniuk, J. A. Koncewoj "Pomiary parametrów materiałów półprzewodnikowych" Warszawa PWN 1973r.

11. T. Figielski „Zjawiska nierównowagowe w półprzewodnikach” Warszawa PWN 1980r.

12. M. A. Herman „Heterozłącza półprzewodnikowe” Warszawa PWN 1989r.

13. J.Groszkowski „ Zagadnienia wysokiej próżni”

14. J.Groszkowski „ Technologia wysokiej próżni”

15. A. Oleś „Metody doświadczalne fizyki ciała stałego”

K_W01 - student ma uporządkowaną, rozszerzoną wiedzę z matematyki, fizyki oraz zastosowań fizyki oraz poszerzoną wiedzę w zakresie studiowanej specjalności; ma wiedzę o trendach rozwojowych i najistotniejszych osiągnięciach z dziedzin nauki i dyscyplin naukowych powiązanych z fizyką i zastosowaniami fizyki

K_W02 - student ma wystarczającą wiedzę z techniki eksperymentu umożliwiającą planowanie oraz wykonanie eksperymentów pomiarowych i badawczych

K_W03 - student zna zasadę działania układów pomiarowych i aparatury, badawczej specyficznych dla obszaru zastosowań fizyki w studiowanej specjalności

K_W10 - student posiada wiedzę do zrozumienia typowych procesów technologicznych z zastosowaniami fizyki

Metody oceniania:

Zaliczenie na podstawie oceny realizacji zadań praktycznych. Nauczyciel weryfikując realizację zadania sprawdza realizację efektów przedmiotowych: W1, W2, W3, W10, U1, U2, U3,U6, K1, K2, K3, K4

Kryteria oceniania:

Realizacja każdego zadania praktycznego jest oceniana oceną cząstkową w skali od 2 do 5. Na ocenę wpływa przede wszystkim ocena z odpowiedzi ustnej oraz stopień realizacji zadania tzn. ile podzadań przewidzianych do realizacji w ramach danego zadania zostało zrealizowane oraz w jakim stopniu wymagania postawione przez prowadzącego zostały spełnione. Ponadto pod uwagę brane jest przygotowanie sprawozdania oraz wiedza z zakresu realizowanego zadania (np. znajomość zagadnień niezbędnych do poprawnej realizacji zadania).

Ocena końcowa jest wyznaczana na podstawie średniej arytmetycznej ocen cząstkowych (innych niż 2):

3.0 – 3.4 – dst

3.41 – 3.8 – dst+

3.81 – 4.2 – db

4.21 – 4.6 – db+

4.61 – 5.0 – bdb

Do uzyskania pozytywnej oceny konieczne jest uzyskanie pozytywnych ocen (innych niż 2) ze wszystkich zadań.

Tematy ćwiczeń:

1. Technologia warstw i struktur epitaksjalnych.

a. struktury MIS,

b. metoda naparowywania próżniowego,

c. dip-coating.

2. Wykonywanie kontaktów w strukturach półprzewodnikowych i ich badanie.

a. metoda przytapiania,

b. metoda naparowywania,

3. Wytwarzanie i obróbka kryształów półprzewodnikowych:

a. metoda Bridgmana-Stockbargera,

b. szlifowanie, polerowanie i trawienie otrzymanych kryształów.

4. Widma absorpcji i transmisja (spektrofotometr UV-VIS)

5. Luminescencja cienkich warstw i kryształów.

a. fotoluminescencja I(T),

b. elektroluminescencja I(T),

c. termiczne gaszenie luminescencji.

6. Badanie własności termicznych metodami piroelektrycznymi:

a. wyznaczanie termicznej dyfuzyjności i efuzyjności,

b. zależności termicznej przewodności od składu.

7. Fotoprzewodnictwo cienkich warstw i kryształów.

a. charakterystyki widmowe,

b. stałe czasowe,

c. wyznaczanie energii pułapek metodą niestacjonarnego przewodnictwa (PICT).

8. Spektroskopia defektów z głębokimi stanami metodami złączowymi.

a. metoda niestacjonarnej pojemności (DLTS),

b. metoda termicznie stymulowanej pojemności.

9. Fotopojemnościowe badanie struktur.

a. zmiana pojemności w funkcji długości fali,

b. wyznaczanie optycznych przekrojów czynnych,

c. zależności C(T) przy różnych oświetleniach.

10. Przewodnictwo zmiennoprądowe.

a. zależności G(f), C(f),

b. zależności G(T), C(T).

11. Wyznaczanie koncentracji i ruchliwości nośników.

a. przewodnictwo stałoprądowe,

b. efekt Halla,

c. efekt foto-Halla.

12. Widma odbicia i transmisji cienkich warstw, struktur wielowarstwowych i kryształów.

a. metody stacjonarne

b. metody modulacyjne

13. Badanie półprzewodników w podczerwieni.

a. widma odbicia w podczerwieni

b. widma transmisji w podczerwieni

14. Widma wzbudzenia cienkich warstw i kryształów.

15. Optoelektronika.

a. pryzmaty sprzężone

Metody dydaktyczne poszukujące: doświadczalna, laboratoryjna, obserwacji oraz projektu