New trends in power electronics
Informacje ogólne
Kod przedmiotu: | 0800-AR2POWELE |
Kod Erasmus / ISCED: |
(brak danych)
/
(0710) Inżynieria i technika
|
Nazwa przedmiotu: | New trends in power electronics |
Jednostka: | Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki Stosowanej |
Grupy: |
Przedmioty specjalistyczne I Przedmioty specjalistyczne II |
Punkty ECTS i inne: |
(brak)
|
Język prowadzenia: | angielski |
Wymagania wstępne: | Zaawansowana wiedza z zakresu, energoelektroniki, elektroniki oraz teorii obwodów. |
Rodzaj przedmiotu: | przedmiot fakultatywny |
Całkowity nakład pracy studenta: | Godziny realizowane z udziałem nauczycieli (45 godz.): - udział w wykładach – 30 godzin - udział w laboratoriach - 15 godzin Czas poświęcony na pracę indywidualną studenta (45 godz.): - przygotowanie do wykładu- 15 godzin - czytanie literatury- 15 godzin - przygotowanie do egzaminu – 15 godzin Łącznie: 90 godz. (3 ECTS) |
Efekty uczenia się - wiedza: | W1 - Posiada wiedzę z zakresu historii rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy; W2 – Zna podstawowe typy tranzystorów stosowanych w energoelektronice; W3 – Posiada wiedzę w zakresie aktualnych trendów panujących w energoelektronice; W4 – Zna topologie aktualnie stosowanych sterowników bramkowych; W5 – Zdaje sobie sprawę z występowania strat mocy oraz ich źródła; W6 – Posiada wiedzę z zakresu modelowania systemów przekształtnikowych z zastosowaniem dedykowanego oprogramowania. |
Efekty uczenia się - umiejętności: | U1 – Potrafi sklasyfikować podstawowe typy tranzystorów moc, U2 – Umie dobrać odpowiedni sterownik bramkowy do danego typu tranzystora; U3 – Potrafi wskazać obszar zastosowania nowoczesnych łączników półprzewodnikowych; U4 – Potrafi oszacować straty mocy występujące w półprzewodnikowych przyrządach mocy; U5 – Potrafi wykorzystać odpowiednie oprogramowanie na potrzeby analizy i modelowania systemów przekształtnikowych. |
Efekty uczenia się - kompetencje społeczne: | K1 – zna ograniczenia półprzewodnikowych przyrządów mocy oraz sterowników bramkowych stosowanych w nowoczesnych układach przekształtnikowych; K2 – zna fizyczne ograniczenia systemów przekształtnikowych. |
Metody dydaktyczne: | - wykład informacyjny (konwencjonalny); - programy przeznaczone do symulacji obwodów energoelektronicznych |
Metody dydaktyczne eksponujące: | - symulacyjna (gier symulacyjnych) |
Metody dydaktyczne podające: | - wykład informacyjny (konwencjonalny) |
Pełny opis: |
Wykład: 1) Wprowadzenie - wymagana wiedza i warunki zaliczenia; - krótki rys historyczny dotyczący rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy; - typy półprzewodnikowych przyrządów mocy; 2) Materiały półprzewodnikowe o szerokim paśmie wzbronionym; 3) Nowoczesne tranzystory mocy na bazie SiC oraz GaN; 4) Topologie sterowników bramkowych; 5) Nowoczesne zastosowania przyrządów mocy na bazie materiałów o szerokim paśmie wzbronionym; 6) Straty mocy w półprzewodnikowych łącznikach; 7) Zastosowania nowoczesnych łączników półprzewodnikowych. Laboratorium: Modelowanie systemów przekształtnikowych z wykorzystaniem oprogramowania Plexim PLECS. |
Literatura: |
Literatura podstawowa: 1. A. M. Trzynadlowski, „Introduction to modern power electronics”, Third edition, Wiley. 2. M. Nowak, R. Barlik, „Poradnik inżyniera energoelektronika”, Tom 1, wydanie 2 Wydawnictwo naukowe PWN, Warszawa 2016 3. M. Nowak, R. Barlik, J. Rąbkowski, „Poradnik inżyniera energoelektronika”, Tom 2, wydanie 2 Wydawnictwo naukowe PWN, Warszawa 2015 4. A. Lidow, et. All, „GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 3rd Edition”, Third edition, Wiley, 2019 |
Metody i kryteria oceniania: |
Metody oceniania: Test wiedzy- W1, W2, W3, W4, U1, K1 Kryteria oceniania: Wykład: egzamin ndst - 0 - 60% maksymalnej liczby punktów, dst- 61 - 70% maksymalnej liczby punktów, dst plus - 71 - 80% maksymalnej liczby punktów, db – 80 - 85% maksymalnej liczby punktów, db plus - 86 - 90% maksymalnej liczby punktów, bdb - 91 - 100% maksymalnej liczby punktów Laboratorium: projekt Zadanie projektowe realizowane w środowisku symulacyjnym Plexim PLECS dotyczące zagadnień związanych z systemami przekształtników energoelektronicznych. |
Właścicielem praw autorskich jest Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu.